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BP87526

Sample application

Sketch

BP87526 是一款高性能、高集成度、低待机功耗、高频准谐振反激原边驱动芯片。内置 650V 高压 MOSFET，集成高压启动、高压辅助供电电路，适用于高效率、小体积、高可靠性、宽输出电压规模的 35~55W 反激变换器应用。 BP87526 支持自顺应 COT 控制方法，吸收息争调配对的副边控制器发送到原边的脉冲信号，同时检测原边漏极电压谷底，控制原边功率管的开通，实现较高的效率。

Advantage

内置650V 高压 MOSFET

集成高压启动

150 V 辅助供电耐压，知足宽输出电压规模

自顺应 COT 控制，快速的动态响应

磁耦通讯实现超低待机功耗，<30 mW

QR 谷底开通，优化效率和 EMI 特征

最高可达 140 kHz 开关频率

知足 LPS (Limit Power Source) 安规要求

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